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◆ロームと本田技術研究所、SiC半導体デバイス搭載のハイパワーモジュール
電気自動車向けに、シリコンカーバイド(SIC)製のSIC-SBD、SIC-MOSFETを搭載した1200V・230A(280kVA 相当)クラスのハイパワーインバータモジュールを開発。フルSiCデバイスによるハイパワーインバータモジュールは世界初。
スイッチング損失を従来のSiデバイス比で約1/4以下に低減。スイッチング損失が低減した分、駆動周波数を上げることができ、例えば従来Si-IGBTを使用した場合のPWM周波数20kHzに対し、4倍の80kHzの高周波化が図れる。
新材料SiC半導体デバイスを搭載した
ハイパワーモジュールの開発に世界で初めて成功！
ＳｉＣ製の大電力モジュール ロームと本田技研が共同開発
電気自動車向けに、シリコンカーバイド(SIC)製のSIC-SBD、SIC-MOSFETを搭載した1200V・230A(280kVA 相当)クラスのハイパワーインバータモジュールを開発。フルSiCデバイスによるハイパワーインバータモジュールは世界初。
スイッチング損失を従来のSiデバイス比で約1/4以下に低減。スイッチング損失が低減した分、駆動周波数を上げることができ、例えば従来Si-IGBTを使用した場合のPWM周波数20kHzに対し、4倍の80kHzの高周波化が図れる。
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